氮化鎵單晶基片

性能：

氮化鎵作為第三代半導體，也被諾貝爾物理學獲獎者中村修二稱之為“終極襯底”，其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，使得它成為迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系，并可以成為制備寬波譜、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件的關鍵基礎材料。

指標：

2英寸直徑藍寶石襯底外延GaN厚膜

厚度： 10~50μm（藍寶石襯底外延GaN）

位錯密度：小于1×107 cm-2

TTV：≦ 10 μm

BOW：≦ 15 μm

?自支撐GaN單晶襯底

厚度： 400.0μm ±30.0μm，300μm ±30.0  μm，

位錯密度：小于5×106 cm-2

TTV：≦ 10 μm

BOW：≦ 15 μm

粗糙度：Ra≤0.2 nm